SI2320DS-T1
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
SI2320DS-T1 datasheet
-
МаркировкаSI2320DS-T1
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеSiliconix SI2320DS-T1 Configuration: Single Continuous Drain Current: 0.22 A Drain-source Breakdown Voltage: 200 V Factory Pack Quantity: 3000 Fall Time: 9 ns Gate-source Breakdown Voltage: +/- 20 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-236-3 Power Dissipation: 750 mW Resistance Drain-source Rds (on): 7000 mOhms Rise Time: 9 ns Transistor Polarity: N-Channel Typical Turn-off Delay Time: 9 ns
-
Количество страниц5 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
05.06.2024
04.06.2024
03.06.2024